Po navedbah tujih medijev je raziskovalna ekipa, ki jo je vodil profesor Zhou Shengjun z Univerze Wuhan, razvila visoko učinkovito zeleno LED na podlagi safirne substrate. Raziskovalna skupina predlaga uporabo hibridnega jedrnega sloja (Hybrid Nucleation Layer), sestavljenega iz sputtered AIN (Sputtered AlN) in srednjetemperaturnih Naprav GaN za izboljšanje kvantne učinkovitosti zelenih LED na osnovi gan.
Trenutno je razvoj visokoučinkovitih emiterjev III-nitrida v celotnem vidnem območju zelo privlačen, I fuzija multipla emitera III-nitrida u color III-nitridu omogucava učinkovito i natančno upravljanje hibridnim spektralom, rezultat je prikaza visoke razlučivosti i raznih aplikacija pametne osvetlitve, ali je trenutno glavna ovira u slaboj učinkovitosti III-nitridnih emitera u zelenoj do tan spektralnom regionu.
V ta namen so raziskovalci univerze Wuhan uporabili novo hibridno jedko plast za izdelavo visokoučinkovite InGaN/GaN zelene LED na safirnih substratih. Med proizvodnim postopkom bosta mešana plast jedrja in površina GaN ustvarili strukturo napak v zloženju, ki pomaga doseči Neprimerno nadomestilo za stres.
Koristi od začetne toplotne neskladja stres sprostitev, Disloaction Gostota in Rezidual Stress v zelene LED se zmanjša. Zato je raziskovalna skupina izboljšala učinkovitost za približno 16 % med množično proizvodnjo.
Raziskovalna ekipa Univerze Wuhan je povedala, da je možnost uporabe hibridne plasti jedrja zelo obetavna za uresničitev visokoučinkovitih III-nitridnih oddajnika v zeleni do rumeno-rjavi regiji.
